安規(guī)測(cè)試儀檢定裝置有以下幾種 回路電阻測(cè)試儀校驗(yàn)裝置 高精度交直流電流表 HN係列 絕緣電阻測(cè)試儀檢定裝置 定製定做

HN8061A

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用於檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
電壓分兩檔：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路電流：0～2mA    0～20mA
電阻0-200G-1T-10T對(duì)有源天線陣列進(jìn)行校準(zhǔn)需要很長的生產(chǎn)測(cè)試時(shí)間。大型陣列可能包含成百上千個(gè)陣元，有必要通過表征這些陣元間的相位和增益關(guān)係，以確保精密的波束賦形。而且，進(jìn)行陣元調(diào)整所需的測(cè)試時(shí)間會(huì)隨著陣元數(shù)量的增加而大幅增長。使用多個(gè)相參測(cè)量通道能夠有效地縮短測(cè)試時(shí)間。現(xiàn)在通常使用一臺(tái)多端口網(wǎng)絡(luò)儀在天線上執(zhí)行相對(duì)增益和相位測(cè)量，一般是通過開關(guān)矩陣對(duì)所有的天線端口或通道執(zhí)行這種測(cè)量。這會(huì)產(chǎn)生很長的測(cè)試時(shí)間，尤其是對(duì)包含成百上千陣元的陣列。

HN8062A接地電阻表校驗(yàn)裝置

用於檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號(hào)的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進(jìn)口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)範(fàn)圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點(diǎn)。功率儀通常用於實(shí)驗(yàn)室、現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)量，環(huán)境可能是高溫、高壓電等危險(xiǎn)區(qū)域測(cè)量數(shù)據(jù)，尤其是長期測(cè)量時(shí)，必須要有人時(shí)時(shí)刻刻在儀器旁邊進(jìn)行麼，那是不可能的。PA功率儀可以通過多種方式進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)的讀取，如何進(jìn)行的呢？通信接口PA功率儀提供了RS-23因特網(wǎng)、GPIUSB四種通信接口對(duì)其進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)的讀取。其中RS-232接口圖如。四種通信方式對(duì)比如下：1.使用串口進(jìn)行遠(yuǎn)程控製編程簡(jiǎn)單方便，調(diào)試容易，但乾擾存在下可能會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失，數(shù)據(jù)線長度過長時(shí)亦會(huì)有所影響。

HN8063A耐電壓測(cè)試儀校驗(yàn)裝置

1、測(cè)量準(zhǔn)度： 

電壓：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

準(zhǔn)度：1級(jí)  0.5級(jí)  0.2級(jí)目前常用的離子化方法（EICP、ESMALDI等）在實(shí)驗(yàn)中（嚴(yán)格來說僅在一定濃度範(fàn)圍內(nèi)——術(shù)語是動(dòng)態(tài)範(fàn)圍，dynamicrange）都至少滿足樣品量與產(chǎn)生離子量的正相關(guān)，一般情況下也可以進(jìn)一步近似成線性相關(guān)。傳輸離子時(shí)，簡(jiǎn)單來說可以認(rèn)為傳輸效率與被傳輸離子的量無關(guān)；（嚴(yán)格地說，被傳輸?shù)碾x子太多時(shí)，相同電荷的互相排斥會(huì)造成離子束的“體積”變大，導(dǎo)致傳輸效率下降。這種影響在空間有限的離子阱中表現(xiàn)得更加明顯，因此在離子阱質(zhì)譜中一個(gè)重要的技術(shù)就是適當(dāng)控製進(jìn)入儀器的離子數(shù)量，使其既不太少也不太多。

HN8065A型泄漏電流測(cè)試儀檢定裝置

一、性能特點(diǎn)

1、源、表測(cè)量範(fàn)圍：

       電壓源（AC，DC）：電壓：250V、50V、5V

       電流源（AC，DC）：20mA、2mA

       頻率計(jì)：10-100Hz實(shí)測(cè)頻譜儀，近場(chǎng)，結(jié)合恒電磁波傳輸小室(簡(jiǎn)稱TEM小室)能作為識(shí)彆輻射乾擾根源的基本工具。本次測(cè)試我們采用鼎陽科技SSA3021X頻譜儀和選配的近場(chǎng)以及TekBox的TEM小室。我們打開頻譜儀然後設(shè)置如下：SPAN設(shè)置為530KHz到2MHz;RBW設(shè)置為9KHz，衰減設(shè)置為0dB，顯示設(shè)置為電壓平均;打開頻譜儀標(biāo)配的預(yù)置放大器，並選用正峰值檢波器，測(cè)試結(jié)果如下:頻譜儀基礎(chǔ)設(shè)置在以上設(shè)置參數(shù)參考的情況下，顯示平均噪聲電平(DANL)大約在-20dBμV左右，這個(gè)指標(biāo)在同級(jí)彆的頻譜儀中算是非常好的。

HN8066A型接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀檢定裝置

2、一次額定電流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、電阻四盤連續(xù)帶電可調(diào)。

4、直接指示一次電流值，可做交直流大電流標(biāo)準(zhǔn)表用。熱成像數(shù)據(jù)與其他傳感器采集而來的數(shù)據(jù)互相整合兼容尤為關(guān)鍵?！滨r開義表示，“FLIR的數(shù)據(jù)可以與機(jī)器人係統(tǒng)軟件實(shí)現(xiàn)有效兼容，這是成功的關(guān)鍵因素。”FLIR紅外熱像儀被安裝於機(jī)器人上、軌道上、固定支架上，與高清可見相機(jī)、高靈敏音頻采集設(shè)備、WiFi等設(shè)備協(xié)同動(dòng)作，以±2℃或2%讀數(shù)的測(cè)溫結(jié)果保障每處電力設(shè)備現(xiàn)象+進(jìn)行移動(dòng)檢測(cè)和缺陷診斷，及時(shí)發(fā)現(xiàn)設(shè)備潛在缺陷並發(fā)出預(yù)警的**運(yùn)作。可監(jiān)測(cè)異常提高可靠性“在智能巡檢機(jī)器人上安裝FLIR熱像儀，可以監(jiān)測(cè)電力設(shè)備的異常。

HN8068A型回路電阻測(cè)試儀，直流電阻測(cè)試儀檢定裝置

2 一次額定電流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 電阻盤0、1、2、3……20帶電可調(diào)。

4 直接指示一次電流值,可做直流大電流標(biāo)準(zhǔn)表用。

回路電阻測(cè)試儀校驗(yàn)裝置 高精度交直流電流表 HN係列 絕緣電阻測(cè)試儀檢定裝置 定製定做其中EMI包括：CE（傳導(dǎo)乾擾），RE（輻射乾擾），PT(乾擾功率測(cè)試)等等。EMS包括：ESD(靜電放電），RS（輻射耐受），EFT/B(快速脈衝耐受)，surge（雷擊），CS（傳導(dǎo)耐受）等。常見的擾源顯然，EMC設(shè)計(jì)的目的就是使所設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或係統(tǒng)在預(yù)期的電磁環(huán)境中能夠?qū)崿F(xiàn)電磁兼容。換而言之,就是說設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或係統(tǒng)必須能夠滿足EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的兩方麵的能力。常見EMC測(cè)試項(xiàng)目電磁乾擾（EMI）的原理EMI的產(chǎn)生原因形式的電磁乾擾是影響電子設(shè)備兼容性的主要原因。