安規(guī)測試儀檢定裝置有以下幾種 直流電阻測試儀校驗裝置 耐壓測試儀校驗儀 HN系列 絕緣電阻測試儀檢定裝置 定制定做

HN8061A

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
電壓分兩檔：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路電流：0～2mA    0～20mA
電阻0-200G-1T-10T在大多數(shù)頻譜儀中，RBW控制功能會根據(jù)用戶配置的頻寬自動設置。在OTA測量中，應降低RBW值，以查看可能影響受擾接收機的小信號。這種組合導致大多數(shù)電池供電的頻譜儀的掃描速率非常低，即其不可能看到導致干擾的小的間歇性瞬態(tài)信號。實時頻譜儀解決了這個問題，它能夠使用RBW較窄的濾波器測量頻譜，速度要快于基本掃頻儀。顯示了LTE信號在空中傳送(OTA)時的結果。在這種情況下，頻寬被設置成40MHz，默認RBW為300kHz。

HN8062A接地電阻表校驗裝置

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產的型號的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點。瑞利散射是光纖材料本身固有的性質，由于光纖內部含有的雜質、纖核添加物等產生漫反射，其中部分向后散射形成瑞利背向散射，光纖整個長度上都呈現(xiàn)這種現(xiàn)象。而菲涅爾反射它只是發(fā)生在光纖接觸到空氣時或發(fā)生在諸如機械的連接接縫處。光纖損耗的測量所依據(jù)的主要是瑞利散射原理;光纖斷點的測量所依據(jù)的主要原理是菲涅爾反射。瑞利散射損耗可用下式進行近似計算：式中，λ以um為單位，B是與石英和摻雜材料有關的常數(shù)。

HN8063A耐電壓測試儀校驗裝置

1、測量準度： 

電壓：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

準度：1級  0.5級  0.2級所以一定要保持一定的半徑，使激光在纖芯里傳輸時，避免產生一些不必要的損耗。。野外接續(xù)盒一定要密封好，防止進水。熔接盒進水后，由于光纖及光纖熔接點長期浸泡在水中，可能會光纖測試光纖在架設，熔接完工后就是測試工作，使用的儀器主要是OTDR測試儀或光源光功率計，用加拿大EXFO公司的FTB-100B便攜式中文彩色觸摸屏OTDR測試儀(動態(tài)范圍有32/337.5/340/345/43db),可以測試，光纖斷點的位置；光纖鏈路的全程損耗；了解沿光纖長度的損耗分布；光纖接續(xù)點的接頭損耗。

HN8065A型泄漏電流測試儀檢定裝置

一、性能特點

1、源、表測量范圍：

       電壓源（AC，DC）：電壓：250V、50V、5V

       電流源（AC，DC）：20mA、2mA

       頻率計：10-100HzRBW所代表的意義為兩個不同頻率信號所能夠被清楚分辨出來的頻寬差異，因此兩個不同頻率信號的頻寬如果低于頻譜儀的解析頻寬，如此兩信號將會重疊而無法分辨。如此看似更低的RBW將有助于不同頻率信號的分辨與量測工作，然而過低的RBW有可能將較高頻率的信號給濾除掉，因而導致信號顯示時產生失真。較高的RBW當然有助于寬頻信號的量測，然而卻可能增加雜訊底層值（NoiseFloor）、降低量測靈敏度，并對于偵測低強度的信號容易產生阻礙。

HN8066A型接地導通電阻測試儀檢定裝置

2、一次額定電流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、電阻四盤連續(xù)帶電可調。

4、直接指示一次電流值，可做交直流大電流標準表用。有些板上有溫度傳感器測量環(huán)境溫度，可用編程的方法用一個簡單的函數(shù)調用從該傳感器獲取信息，確保元件在規(guī)定的范圍內工作。完全的計算是非常乏味和令人頭疼的，但是對整體性做更進一步了解則用不著這樣費勁。遺憾的是，數(shù)據(jù)采集板還沒有表明整體性的一個通用標準，實踐中供應商各用不同的方法來說明精度，在的情況下，使用同一術語的兩個供應商描述的可能是不同的精度度量標準，他們的"精度"可能就是從不同的等式中得到。

HN8068A型回路電阻測試儀，直流電阻測試儀檢定裝置

2 一次額定電流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 電阻盤0、1、2、3……20帶電可調。

4 直接指示一次電流值,可做直流大電流標準表用。

直流電阻測試儀校驗裝置 耐壓測試儀校驗儀 HN系列 絕緣電阻測試儀檢定裝置 定制定做在帶寬500MHz以下的示波器，一般標配是1倍衰減或10倍衰減的無源，某些的衰減比可手動選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上面都有差異：圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時的參數(shù)差異可見的輸入電容，比晶體手冊的負載電容要大。的介入，必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路，從而嚴重影響晶體電路的起振。兩害相權取其輕，測量無源晶振時應優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過大，可以考慮選用有源高壓差分，其負載參數(shù)優(yōu)化得非常小，如Lecroy的ZP1000，輸入阻抗可達0.9p1M歐姆。